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美光挖角三星与 SK 海力士工程师 加强台湾台中厂 HBM 产线布局

在全球高带宽记忆体（HBM）竞争日趋激烈的背景下，美国存储巨头 Micron Technology （美光科技）正在大幅加快其人才招募步伐。据《韩国经济日报》与《eNer:破高膙辚?f然揩襮嫛蟿F鸠5pep=k?确矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鹆黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鲩M(缬s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫s Today》报道，美光近日通过 LinkedIn 及多家国际猎头机构，积极挖角来自 Samsung Electronics（三星电子）与 SK hynix （SK 海力士）的工程师，以强化其位于台湾台中厂的 HBM 产品设计与制造团队。多位关键岗位的薪资水平据称高达 20 亿韩元（约 15 万美元）以上，显示出美光在新一轮技术竞赛中的强烈投入意愿。

台中厂是美光全球最大的 DRAM （动态随机存取存储器）生产基地之一，也是其 HBM 产品的核心研发与封装中心。此次扩充团队后，美光计划在台中进一步加码 HBM 3e 与 HBM 4 的量产及验证，以追赶在市场中领先的韩系竞争对手。

高带宽记忆体已成为人工智能（AI）、高性能计算（HPC）、图形处理以及数据中心的关键核心元件。通过多层堆叠与 3D 封装，HBM 可在更低功耗下实现更高带宽，成为支撑 GPU 与 AI 加速器算力的核心组件。目前，SK 海力士与三星电子在 HBM 领域占据主导地位，美光虽已向 NVIDIA 出货 HBM 3e 产品，但在产能、良率与堆叠精度方面仍存在一定差距。

此次的人才招募行动表明，美光已不满足于单纯的制程追赶，而是通过引进系统级设计与封装专家，尝试在架构层面实现跨越。报道指出，美光新设立的职位涵盖 HBM 基底芯片（Base Die）设计、信号传输优化、散热管理以及记忆体控制器整合等领域，这意味着公司正为下一代 HBM 4 技术布局。HBM 4 预计将在堆叠层数、数据传输速率和系统整合度上实现大幅提升，其 Base Die 将承担更多控制与接口逻辑功能，从而显著改善能效与计算效率。

随着 HBM 向更高带宽与更复杂架构演进，制造与设计的边界正在模糊。美光的策略正是通过跨领域整合，构建一个涵盖存储、逻辑与系统架构的完整生态。行业观察人士认为，这种转变可能使美光在 HBM 4 时代摆脱“追随者”的形象，在特定高端应用中与韩系厂商展开更直接的竞争。

此外，台湾在美光全球战略中的地位进一步凸显。台中厂不仅拥有成熟的 DRAM 工艺与先进封装能力，还具备与本地供应链协同的产业优势。随着 NVIDIA、TSMC、美光等公司在中台湾持续扩张，台湾正逐步成为全球 HBM 与 AI 芯片产业链的枢纽。业内分析认为，美光的持续投资将推动台湾半导体从代工制造向高性能封装与系统集成方向升级，为本地产业注入新的技术能量。

此次挖角行动也反映出高端记忆体行业的人才紧缺趋势。具备 HBM 架构、封装、热设计及 AI 存储接口经验的工程师，正成为全球半导体巨头争相抢夺的稀缺资源。随着 HBM 技术走向 HBM 4 及 HBM 4e，未来的竞争不再仅仅是晶圆制程之争，而是系统整合、架构创新与人才储备的综合较量。

从更宏观的角度看，美光的这一战略动作意味着全球 HBM 市场格局可能出现变化。若台中厂的 HBM 4 顺利量产，美光的市场份额有望从目前的 10% 上升至 20% 以上，与 SK 海力士和 三星电子形成三足鼎立之势。而台积电与日月光等封装厂的加入，也将进一步强化台湾在全球高带宽记忆体供应链中的主导作用。

HBM 已成为推动算力革命的关键驱动力。无论是 AI 训练、边缘计算，还是未来的 6G 通信基础设施，记忆体性能与能效都直接决定着系统上限。美光通过全球化的人才布局与台湾本地化制造的结合，正在以更系统性的方式参与这场未来计算架构的竞争。正如业内所言：谁能掌握 HBM 的技术与生态，谁就掌握了下一代算力时代的核心钥匙。