pa集团官网入口-联电推出55纳米BCD平台，实现节能设计

联合微电子公司 （UMC）推出了一种新的 55 纳米 BCD 平台，也称为 55 纳米 BCD 技术，旨在为下一代移动、消费、汽车和工业设备提供更高的性能和能效。该代工厂的最新工艺节点可帮助设计人员管理日益复杂的电源管理，同时减少芯片面积并提高噪声性能。

此次发布凸显了联华电子对先进专业技术的推动，这些技术可能会直接影响广泛电子市场的功率IC设计、混合信号集成和系统效率。

BCD 技术使模拟、数字和电源电路能够共存在单个芯片上，这是电源管理和混合信号 IC 的关键要求。联电的全新 55 纳米 BCD 平台通过针对不同应用需求量身定制的三种主要工艺变体扩展了这种灵活性。

非外延 （Non-EPI） 工艺提供了一种经济高效的方法，专注于消费类和移动设备的能效和模拟性能。对于汽车应用，联电的外延（EPI）工艺支持高达150V的工作电压，并符合严格的AEC-Q100 Grade 0汽车标准，确保在极端作环境中的可靠性。同时，绝缘体上硅 （SOI） 工艺针对高级汽车和工业系统，具有 AEC-Q100 1 级合规性、卓越的噪声抑制和低泄漏性能。

联电推出55奈米BCD平台，实现高能效设计（来源：联电）。

该平台还支持超厚金属 （UTM）、嵌入式闪存和电阻式 RAM （RRAM） 选项，使设计人员在集成内存和电源应用的大电流路径方面具有更大的灵活性。

联华电子技术开发副总裁 Steven Hsu 表示：“我们的 55 奈米 BCD 平台的准备就绪标志着联华电子的一个重要里程碑，完善了我们的专业 BCD 技术组合，并增强了我们在电源管理市场的竞争力。虽然 55 奈米 BCD 已经在市场上生产了几年，但联华电子提供了具有竞争力设备性能的全新全面 55 奈米 BCD 解决方案，使我们的客户能够为从智能手机和穿戴式设备到汽车、智能家居和工厂等各种领域构建创新的电源解决方案。

通过此次发布，联华电子现在提供业内最广泛的 BCD 工艺产品组合之一——范围从 0.35μm 到 55nm——涵盖适合不同市场的电压范围。该代工厂结合了广泛的 IP、设计支持和工艺成熟度，使其能够支持电力电子和混合信号 IC 制造商不断变化的需求，这些制造商希望进一步提高效率和集成度。

对于欧洲设计界来说，效率、可靠性和集成度仍然是创新的核心，联电的 55 纳米 BCD 平台为下一代汽车和工业电源解决方案提供了及时的升级路径。